半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品(耐壓650V/1200V),適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。

此次新研發的SCT3xxx xR系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L),可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此可減低電感成分的影響,充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能,還且還能夠大幅改善導通損耗。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比,導通損耗和開關損耗可減少約35%,有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。

SCT3xxx xR系列為採用溝槽閘結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型,其中包括3款650V的機型和3款1200V的機型。

另外,ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」,其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各類電源IC及離散式產品,可輕易進行評估。為了提供相同條件的評估環境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,以及安裝並評估TO-247N封裝的產品,此外還可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

該系列產品可應用於伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站等,並已於2019年8月起以每月50萬個的規模逐步投入量產。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。