ROHM研發出尺寸為1.6mm×1.6mm的超小型MOSFET「RV4xxx系列」,可確保零件安裝後的可靠性,且符合車電產品可靠性標準AEC-Q101。此外,該系列採用ROHM獨創的封裝加工技術,有助於先進駕駛輔助系統(ADAS)相機模組等高品質車電元件的小型化。

為了滿足ADAS車電相機因安裝空間限制而對配置零件小型化的要求,可在保持大電流前提下進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。另一方面,為確保車電產品的可靠性,產品安裝後必須進行外觀檢測,但由於底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面,因此無法確保車電元件所需要的焊料高度,也很難確認安裝後的焊接狀態。

透過ROHM獨創製程的Wettable Flank成型技術,在底面電極封裝也能形成焊接面,實現了首創保證封裝側面電極部分具130μm高度,因此可在產品安裝後的外觀檢測中充分確認焊接狀態。

Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。然而,引線框架切割高度越高越容易產生毛邊。為此ROHM研發出獨創製程,在引線框架整個表面上設定了用來減少毛邊的障壁層,可以防止產品安裝時出現傾斜和焊接不良,在DFN1616封裝產品(1.6mm×1.6mm)中,成為首家可保證封裝側面電極部分具有130μm高度。

傳統ADAS相機模組的反接保護電路主要採用蕭特基二極體(SBD)。但是,隨著相機解析度日益提高,在邁向超大電流化方向發展的車電市場,由於小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發熱量的特點,取代SBD已經是大勢所趨。

例如電流2.0A、功耗0.6W時,在車電市場被廣為使用的帶引線封裝MOSFET,與SBD相比可減少30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET,由於散熱性更佳,不僅可實現小型化,還可實現大電流化,因此與傳統的SBD相比,安裝面積可減少78%,與普通的MOSFET相比,安裝面積可減少68%。

RV4xxx系列已於2019年5月份開始出售樣品,預計於2019年9月開始暫以月產10萬個規模投入量產。