英飛凌科技(Infineon Technologies)擴充CoolSiC蕭特基1200 V G5二極體系列,新增TO247-2封裝產品,可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的8.7mm沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性。最高40A的正向電流可滿足電動車(EV)直流充電、太陽能系統、不斷電系統(UPS)及其他工業應用的需求。

相較於使用矽二極體,以CoolSiC蕭特基1200V G5二極體結合矽IGBT或超接面MOSFET,可提升高達1% 的效能(例如,用於三相轉換系統的Vienna整流器級或PFC升壓級)。因此,PFC與DC-DC級的輸出功率可大幅提升40%或更高。

除了可忽略不計的反向恢復耗損(SiC蕭特基的特性)之外,CoolSiC蕭特基1200V G5二極體產品組合還具有同級產品中最佳的正向導通電壓(VF),以及在溫度變化下增加幅度最少的VF,以及最高突波電流能力。因此能以具有吸引力的價位,提供領先市場的效率與更高的系統可靠性。由於其優異的效率,額定值10A的 CoolSiC蕭特基1200V G5二極體可直接取代30A矽二極體。

CoolSiC蕭特基1200V G5二極體產品組合採用TO247-2腳位封裝,即日起接受訂購,並提供10A/15A/20A/30A/40A五種電流等級。