德州儀器(TI)宣布推出新型且立即可用的600V氮化鎵(GaN)、50mΩ和70mΩ功率級產品組合,能支援高達10 kW應用。與應用於AC/DC電源供應器、機器人、可再生能源、電網基礎設施、通訊和個人電子的場效應電晶體(FETs)相比,LMG341x產品系列能協助工程師打造更小、更高效且更高性能的設計。

TI的GaN FET產品系列擁有整合獨特的功能與保護特性,不僅簡化設計,同時實現更高的系統可靠度與最佳化高壓電源供應的性能,進一步為傳統串接(cascade)和獨立(stand-alone)的GaN FET提供了智慧替代解決方案。透過整合的<100ns電流限制和過熱偵測(overtemperature detection)功能,此裝置可防止意外的直通事件(shoot-through)與熱失控 (thermal runaway)發生,且系統介面訊號提供了自我監測的能力。

與矽的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFETs)相比,TI的整合式GaN功率級可將功率密度提高一倍,並降低功率損耗達80%。每個裝置皆具備1 MHz高速開關頻率和高達100 V / ns的電壓上升斜率(slew rates)。

新產品組合通過2,000萬小時的裝置可靠度測試,包括加速與加速及in-application硬開關試驗。此外,每款裝置均提供整合的散熱、高速與100 ns過流保護,以防止發生直通和短路事件。在50mΩ或70mΩ條件下,產品組合中的每個裝置均提供GaN FET、驅動器與保護特性,為小於100 W至10 kW的應用提供單晶片解決方案。