力旺電子(eMemory)宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入22奈米全空乏絕緣上覆矽(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)製程平台(22FDX),NeoFuse技術繼在FinFET製程平台完成驗證後,再次於FD-SOI製程證明其優異的特性。

NeoFuse解決方案具有低功耗、高可靠度、高安全防護、介面簡易及高彈性等特性,目前已與全球各大晶圓廠合作導入至多項先進製程平台。力旺此次推出具有競爭力的OTP矽智財將有助強化22FDX平台,提升行動裝置、物聯網及RF連接等市場多元應用。預計在22FDX平台上使用這項解決方案的客戶將能因此受惠,創造競爭優勢。

目前業界在先進製程的OTP技術需要多次的寫入動作才能完成,力旺電子NeoFuse技術可確實做到「一次」將資料成功寫入,不僅可降低客戶的測試成本,也能提高可靠度。此外,力旺電子NeoFuse技術可於超低電壓操作,系統於啟動最初階段即可開始動作以提供晶片的安全認證,特別適用於智慧卡、行動支付及物聯網等應用,並具有低漏電及優於一般的面積成本優勢。

力旺更預計在22FDX平台進一步推出新的NeoFuse矽智財規格,提供低至0.5V之操作電壓,以滿足更多客戶推出低功耗物聯網產品的需求,預計將於2019年第一季完成設計定案(Tape-out), 並於2019年第三季完成可靠度驗證。