面對氣候變遷、能源短缺、全球人口增加、都市化以及數位化的發展趨勢,半導體元件已成為節能減碳與提升效率的重要推手。英飛凌(Infineon)身為全球功率半導體市場領導者,以革命性的碳化矽(SiC)溝槽式(Trench)技術推出CoolSiC MOSFET系列,提供高性能、高可靠性、高功率密度且具成本效益的解決方案,並於年度記者會上揭櫫太陽能發電、電動車充電系統與電源供應等三大重點應用領域。

英飛凌工業電源控制事業處大中華區總監馬國偉表示:「英飛凌自1992年開始跨入SiC材料研究,在這革命性的產品CoolSiC MOSFET上累積大量豐富的經驗和技術。與傳統矽(Si)材料 IGBT和MOSFET的開關元件相比,CoolSiC MOSFET提供了一系列的優勢, 包括了在1200V的開關中具有較低的閘極電荷與電容、反向並聯二極體無反向恢復損耗、較低切換損耗等。」

此外,英飛凌1200V SiC MOSFET還增加了額外的優點,透過最先進的溝槽式構造設計,實現卓越的閘極氧化層可靠性,與呈現最佳的開關與傳導損耗、最高的轉導增益、最佳的臨界導通電壓和輸出短路的堅固性。因具有堅固強韌的特性,也非常適用於LLC和ZVS等電源切換架構技術,且能達到矽材料(Si)開關元件無法達到的開關頻率下所提供的最高效率,進而減小整體系統的體積與提高功率密度。

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過去幾年,英飛凌的晶片、離散式元件和模組等多樣化的SiC解決方案在太陽能發電逆變器(Photovoltaic)、不斷電系統(UPS)和電動車充電椿等應用領域表現亮眼。受限於成本和技術的限制,目前SiC元件尚未大量切入電動車與馬達驅動等領域。由於SiC元件能帶給這些應用領域提高更佳效率、降低產品尺寸,這也驅使英飛凌持續投入CoolSiC MOSFET的研發設計。目前英飛凌CoolSiC模組已推出45m ohm TO-247封裝與11m ohm Easy模組,未來更計畫推出6m ohm 62mm模組 。

看好SiC 應用市場的未來,尤其是在高端產品應用方面,SiC將帶來更明顯的優勢。為了加強CoolSiC MOSFET元件的供貨順暢,英飛凌亦投入3,500萬歐元用於研發與生產設備,以確保 SiC晶圓及技術的穩定及推進。