為因應無線充電和USB Type C客戶之需求,力旺電子(eMemory)宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 製程平台完成可靠度驗證,即日起可供使用。力旺在專攻電源管理應用的BCD製程又完成一重大布局。

除了NeoMTP外,力旺也宣布近日會與TowerJazz合作,在65nm 5V RF CMOS製程開發可一次編寫記憶體矽智財NeoBit設計,以滿足RF和5G等通訊應用之需求。

力旺向來是電源管理IC的嵌入式非揮發性記憶體(embedded Non-volatile Memory)矽智財龍頭。為因應無線充電和Type C客戶的需求,力旺已陸續在全球各大晶圓廠BCD製程建構其eNVM矽智財解決方案。

此次力旺在TowerJazz 0.18um 1.8V/5V BCD製程通過驗證的NeoMTP矽智財有幾項重要技術突破,包括更寬廣的操作電壓區間、車規等級的耐熱性,以及記憶體在反覆編寫1,000次情況下還能維持10年以上的資料保留時間。這些突破都有助IC設計廠達到車規的高溫、高耐受度要求。

IC設計廠商使用NeoMTP矽智財不僅可延長產品生命週期,而且可擴大產品之應用範圍。以無線充電器為例,NeoMTP允許頻繁修改原先內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數;此外,NeoMTP也可以讓USB Type C進行多次軟體及產品功能更新。

力旺的NeoMTP是具成本效益的可多次編寫eNVM解決方案,此方案號稱可達到車用等應用的耐久度要求,成本卻遠低於嵌入式快閃記憶體。此外,也有愈來愈多IC設計公司基於效能和安全的考量,改用NeoMTP取代外掛式EEPROM。

力旺此次於TowerJazz BCD 製程驗證的NeoMTP矽智財可在車規要求的溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次,同時可在125°的高溫下維持10年以上的資料保存時間。此外,這項矽智財還擴大操作電壓區間至2.6V-5.5V,並有低功耗、高速讀取等功能。