1968年6月4日,IBM TJ Watson研究中心Robert Dennard博士提出的單電晶體(one-transistor)DRAM單元(cell),以及三電晶體單元基本設計取得專利。

Dennard的工作在IBM網站上有概要描述,介紹了他是怎樣受到磁記憶體的簡單性,以及當時使用金屬氧化物半導體電晶體(metal-oxide semiconductor transistor)記憶體所做工作的啟發。

20180605NT02P1

在Dennard獲得專利後不久,英特爾(Intel)就採用三電晶體單元設計成功製造出了一個1kb DRAM晶片,而其他製造商也在20世紀70年代中期採用單電晶體單元生產出了4kb 晶片。

根據這項專利(美國專利號3,387,286,場效應電晶體記憶體)介紹,「記憶體是由儲存單元陣列構成,這些儲存單元透過與其相連的字線和位線的讀寫操作來控制。」可參閱以下的兩張圖片來瞭解該專利的原理。

20180605NT02P2 圖1顯示一個記憶體的電氣連接,圖2是圖1電路的一個實際記憶體單元的俯視圖和截面圖,其中儲存單元是在單個基底上的積體電路(IC)中形成。

當時正值個人電腦時代即將來臨之際,Dennard的記憶體設計對第一台桌上型電腦的問世發揮了重要作用,這也為他贏得了1988年國家技術獎章,由當時的美國總統隆納·威爾遜·雷根(President Ronald Reagan)親自頒發。他還於1997年被列入全國發明家名人堂,並成為IBM Fellow。欲瞭解更多關於Dennard的資訊,讀者朋友可以觀看IBM傳記視訊:

(參考原文: DRAM patent is granted, June 4, 1968,by Suzanne Deffree,EDN China Jenny Liao編譯)