力旺電子嵌入式非揮發性記憶體矽智財NeoFuse已在台積電的16nm FF+/FFC、 12nm和7nm製程完成驗證,其中16nm FF+/FFC製程IP已通過可靠性認證,而且已獲採用於數位電視和機上盒等需要內容保護的晶片設計。

在全球資安事件頻傳之際,晶片設計和製造階段就納入安全防護的需求愈來愈迫切,力旺為台積7nm平台開發的安全強化版NeoFuse矽智財預定於第二季完成設計定案,可提供高階製程晶片最深層的保護。

這項安全強化版IP同時結合NeoFuse記憶體和力旺的晶片指紋NeoPUF,除了能安全儲存資料外,還能提供深植於晶片內部的晶片ID及可用於加密應用的亂數源(entropy source),不僅能防止資料遭駭,也能防範晶片被仿冒。

力旺的NeoPUF安全技術源自矽晶圓的物理不可複製特性(physical unclonable functions),在晶片設計及製造階段就提供最根本的硬體保護,相當適合人工智慧、物聯網及車聯網等高安全需求晶片。力旺已和台積電合作開發好幾代製程技術的矽智財,其IP解決方案至今已在台積65個製程平台完成設計定案,應用層面相當廣泛,包括面板驅動IC、電源管理IC、控制IC、物聯網相關IC、感應器及車用IC等。

力旺在台積電7nm平台開發的NeoFuse方案包含4K×32 bit的可一次編寫記憶體(OTP),操作溫度符合AECQ100 Grade 0標準 (-40~150°C)。NeoPUF則包含多達4K bit的亂數源,而且在不需要使用輔助資料運算(helper data)的情況下就能達到零錯誤率。

NeoFuse目前已在台積22nm ULP平台完成設計定案,安全強化版預定於2018年6月在22nm ULL平台完成設計定案。