針對全自動汽車應用的雷射雷達系統需要製作三維地圖,因此,偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)所提供的脈衝功率可以快十倍的速度驅動雷射二極體,從而提升雷射雷達系統的整體性能。

EPC9126HC開發板主要驅動雷射二極體,備有參考接地的氮化鎵場效應電晶體(EPC2001C)。該電晶體由德州儀器(TI)的UCC27611閘極驅動器驅動。EPC2001C的最高電壓為100V,可驅動高達150A脈衝電流。EPC9126HC開發板給高功率triple-junction雷射二極體的驅動電流高達75A,其脈寬可以低至5ns。

開發板為裝貼雷射二極體所需,提供多個可選並具備超低電感的連接,以及可利用電容器放電(裝運時配備),或由電源匯流排直接驅動二極體。開發板並沒有包含雷射二極體,它需要由使用者提供,從而對不同的應用進行針對性的評估。

PCB的設計是把功率環路電感減至最小而同時保持裝貼雷射二極體的靈活性。板上備有多個被動探頭(passive probe),可測量電壓及放電電容器的電流,以及備有為50Ω測量系統而設的輸入及感測器的SMA連接器。此外,使用者可使用可選的高精度窄脈衝發生器。

最後,EPC9126HC可以在其他採用參考接地的eGaN FET的應用中發揮其效能,例如Class E或其他相同的電路。