第五屆上海FD-SOI論壇9月26日在上海召開,本屆論壇是規模最大、重量級嘉賓最多、形勢最鼓舞人心、午餐最好吃的一屆。

在論壇上,各位嘉賓在談及與競爭對手/製程的性能對比也沒有遮遮掩掩,EDN China很輕鬆的得到了競爭對手之間的性能互比參數、競爭製程互槓參數、成本互尬表格等資料,分享給大家。

性能對比,競爭對手間互槓。

直接亮出性能比是今年電子產業展示自己最流行的方式,非常有誠意。GlobalFoundries執行長Sanjay Jha在自己的演講中直接提供22nm FD-SOI和台積電(TSMC)與英特爾(Intel)的各項性能對比。

值得一提的是,參與對比的22FDX技術已就位,而英特爾22FFL和台積電22ULP分別還需要1~2個季度才能投產。

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成本對比,競爭製程槓上。

只性能對比是不夠的,IBS執行長Handel H. Jones給出不同製程下的每閘極成本對比。

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另外,考慮到成熟製程包含的設備折舊費,以及FD-SOI矽片(substrate)未來國產化後成本降低,這個值可能還會更具吸引力——這部分在EDN China關於產業鏈上下游的文章中會做進一步的分析。

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同一ARM核心,在不同製程上的性能互尬

今年大會的一個亮點是安謀國際(ARM)的加入,不過ARM聲稱各大製程都有自己的優勢,並沒有提出優劣比較。

但GlobalFoundries給出相同的ARM核心,在採用28高介電常數金屬閘極(HKMG)製程和FD-SOI製程時,在晶片面積、功耗方面的對比。

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FD-SOI製造成本低,設計成本呢?

製造成本比較容易算出來,而設計成本也是不可忽略的一環。Jones提出的資料如下,包括硬體設計和軟體設計。

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他認為,12nm FD-SOI的設計成本在5,000~5,500萬美元,而16nm的鰭式場效電晶體(FinFET)設計成本在7,200萬美元左右,10nm FinFET設計成本在1.31億美元。

中國IC廠商對FD-SOI的接受度如何?

很多業內人士認為FD-SOI是中國IC產業「彎道超車」的機會。Jha堅信FD-SOI技術能夠在中國取得巨大的發展。目前已有10家中國客戶在1年內流片或有測試晶片。

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初步分享完關於FD-SOI製程目前的性能+成本後,相信更多的讀者對該技術產生了足夠大興趣,EDN China也已帶來關於上下游產業鏈的情況:

7個問題看懂FD-SOI全產業鏈