GaN Systems推出新一代800V氮化鎵車載充電器參考設計
作者 : GaN Systems
氮化鎵功率半導體全球領導廠商GaN Systems在應用電力電子會議 (APEC 2023)上發表最新 11kW/800V 氮化鎵車載充電器 (On-Board Charger)參考設計。
這款突破性創新11kW/800V氮化鎵車載充電器設計，結合無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)結構的三階飛馳電容(flying capacitor)拓樸，及雙主動橋式AC/DC和DC/DC轉換器，在功率密度及總物料成本上與市場做出區隔。三階飛馳電容拓樸中所採用的氮化鎵(GaN)電晶體能達到優異的切換頻率，有效減低一半電壓壓力，使650V GaN電晶體也能應用於這款或其他800V電源系統中。
與採用碳化矽(SiC)電晶體產品相比，提高36%功率密度，降低至少15%整體物料清單(BOM)成本。
GaN Systems 800V 氮化鎵車載充電器特點：
- 功率密度較SiC高出36%
- AC/DC階段最高轉換效率 >99%；DC/DC階段最高轉換效率 >98%
- 較小總功率耗損
- 極低閘極振鈴現象
- 採用金屬絕緣基板 (IMS) 設計優化熱性能
GaN功率半導體大幅降低開關功率耗損與耗散，進而提升車載充電器的轉換效率，不僅有助提升電動車充電效率，並兼具成本效益。GaN極低開關損耗可簡化所需被動元件的數量與散熱系統設計，縮減車載充電器整體尺寸及重量。
「GaN功率半導體在車用領域的應用版圖正在快速擴張，」GaN Systems全球執行長 Jim Witham表示，「這款800V 氮化鎵車載充電器便是一個絕佳案例，我們在系統尺寸、功率密度、成本效益、能源效率、熱性能及碳足跡等各方面的優化， 將為車用領域客戶帶來改變競局的解決方案。」
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