SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器

作者 : ROHM

2025年起將向全球電動車廠供貨 助力延長續航里程和系統小型化...

半導體製造商ROHM (總公司:日本京都市)第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社使用於電動車(EV)逆變器。

ROHM自2010年起率先量產SiC MOSFET,在SiC功率元件技術開發方面,始終保持領先地位。其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6% (按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算),非常有助於延長電動車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力於車用馬達和逆變器等相關技術研發,並且已經為日益普及的EV提供了大量產品,在該市場中擁有傲人成績。本次為了進一步提高逆變器性能,日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中採用了SiC功率元件,並計畫2025年起,向包括日本在內的全球車廠供應逆變器產品。

今後ROHM也將以SiC功率元件領導企業之姿,不斷擴大產品陣容,結合能大幅發揮元件性能的控制IC等週邊元件技術優勢,持續提供有助汽車技術創新的電源解決方案。

活動簡介
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