非抗輻射MOSFET能用於輻射環境嗎？
作者 : John Dunn，EDN特約作者
關於在輻射環境中使用半導體元件，抗輻射與否絕不應該會是個問題...
最近遇到一家客戶有點「不切實際」地執意要在輻射暴露的供電應用中，使用並非專為輻射環境而設計的功率MOSFET。這就像是在問「培樂多」(Play-Doh)黏土能不能拿來製造車輛的輪胎一樣。
簡言之，關於在輻射環境中使用半導體元件，抗輻射與否絕不應該會是個問題。
許多年以前，我曾經就這個問題請教當時的「國際整流器公司」(International Rectifier；IR)——該公司已於2015年成為英飛凌科技(Infineon Technologies)的一部份。
「…我們公司的一家新客戶疑似在其輻射暴露的產品中，採用了非抗輻射的IR功率FET。請問是否有任何應用指南(application note)討論這可能對於FET本身及其驅動器造成什麼危害？」
該公司的技術支援中心給我的回覆是：
「…我們並不建議在輻射環境中使用非抗輻射的MOSFET。因此，也沒有可在輻射環境中使用此類元件的應用指南。」
在此與讀者分享這封郵件：
儘管等了一天的時間才得到答案，但答案十分清楚且明確：
編譯：Susan Hong
(參考原文：Non-rad-hard power MOSFET question，by John Dunn)
活動簡介
TAIPEI AMPA & Autotronics Taipei X Tech Taipei 2023「智慧領航車聯網技術論壇」邀請來自產業的代表業者與專家齊聚一堂，透過專題演講、現場應用展示以及互動論壇，深人交流智慧交通與車聯網的融合應用，基礎設施以及安全測試與標準化等主題，帶來一系列迎接車聯網時代必須掌握的最新技術與市場趨勢，協助工程師進一步探索充滿無限可能的智慧移動大未來。
贊助廠商
加入LINE@，最新消息一手掌握！
登入後即可發表評論。
不知道文中曝露的是游離或非游離輻射？不過以電氣為基礎的元器件，在電磁場中都受一定的影響吧；這也是EMP武器的原理。可惜本文並沒有揭露游離和非游離輻射是如何影響MOSFET。