非抗輻射MOSFET能用於輻射環境嗎?

作者 : John Dunn,EDN特約作者

關於在輻射環境中使用半導體元件,抗輻射與否絕不應該會是個問題...

最近遇到一家客戶有點「不切實際」地執意要在輻射暴露的供電應用中,使用並非專為輻射環境而設計的功率MOSFET。這就像是在問「培樂多」(Play-Doh)黏土能不能拿來製造車輛的輪胎一樣。

簡言之,關於在輻射環境中使用半導體元件,抗輻射與否絕不應該會是個問題。

許多年以前,我曾經就這個問題請教當時的「國際整流器公司」(International Rectifier;IR)——該公司已於2015年成為英飛凌科技(Infineon Technologies)的一部份。

我們公司的一家新客戶疑似在其輻射暴露的產品中,採用了非抗輻射的IR功率FET。請問是否有任何應用指南(application note)討論這可能對於FET本身及其驅動器造成什麼危害?」

該公司的技術支援中心給我的回覆是:

「…我們並不建議在輻射環境中使用非抗輻射的MOSFET。因此,也沒有可在輻射環境中使用此類元件的應用指南。」

在此與讀者分享這封郵件:

儘管等了一天的時間才得到答案,但答案十分清楚且明確:

編譯:Susan Hong

(參考原文:Non-rad-hard power MOSFET questionby John Dunn)

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發表評論

  1. 噗嚕^ↀᴥↀ^表示:

    不知道文中曝露的是游離或非游離輻射?不過以電氣為基礎的元器件,在電磁場中都受一定的影響吧;這也是EMP武器的原理。可惜本文並沒有揭露游離和非游離輻射是如何影響MOSFET。