加速GaN技術發展動能

作者 : EE Times/EDN Taiwan & Asia編輯部

德州儀器(TI)在首屆「EE Awards-亞洲金選獎」榮獲四座大獎,產品LMG3525R030-Q1氮化鎵(GaN)元件同時贏得台灣與亞洲企業獎項中的「金選電動車電源半導體供應商」與「金選節能系統功率半導體供應商」頭銜...

致力於設計、製造、測試以及銷售類比和嵌入式半導體晶片,為工業、汽車、個人電子、通訊設備和企業系統等市場服務的領導業者德州儀器(Texas Instruments Inc.,TI),在首屆「EE Awards-亞洲金選獎」榮獲四座大獎,產品LMG3525R030-Q1氮化鎵(GaN)元件,同時贏得台灣與亞洲企業獎項中的「金選電動車電源半導體供應商」(EV Power Semiconductor Supplier)與「金選節能系統功率半導體供應商」(Energy-Saving Power Semiconductor Provider)頭銜。

克服產業挑戰

電力電子產業正在快速演進,伴隨著推動電源管理方案產生變化的關鍵趨勢:功率密度、低電磁干擾(EMI)、低靜態電流(IQ)、隔離、低雜訊與高精度。

為了幫助客戶解決這些問題,TI策略性地投資GaN技術,以新一代的功率半導體,能夠透過較好的元件開關特性來減少功率消耗、提升效率,提升AC/DC和DC/DC電源的功率密度。這能讓各種不同應用的電源受惠,從消費性變壓器、伺服器和電信PSU,到電動車(EV)的車載充電系統。

TI最近推出LMG3525R030-Q1,號稱業界首款的車用GaN FET,具備整合的驅動器、保護和主動電源管理。透過提供兩倍的功率密度和最高效率之車載充電系統、工業電源,這些技術進展讓客戶充分發揮系統效能並且盡可能更容易被運用。

TI也發表了在電動車電池管理(BMS)方面的一大進展──高性能無線BMS的解決方案,配備一個新車用電池監測器和平衡器,能幫助工程師實現電池安全性目標,透過每一次有線和無線BMS充電,將行駛距離最大化。

獨特的技術解決方案

TI獲獎是因為其GaN解決方案專注於效率最大化、並在推動高耐用性與可靠度,還有以最低的成本達到最大產能等方面獲得了肯定。除了提升整合性與開關頻率,TI的GaN元件在系統可靠度測試下可達到超過40百萬小時的性能,以因應故障機制並最大化生命週期。

TI也投資了內部製造產能,以妥善控制供應、品質與成本。該公司持續在高度整合的GaN元件上進行投資,以進一步為廣泛的終端應用改善效率和功率密度,涵蓋的功率水準從幾十瓦的低功耗應用到電動車的22kW,以幫助採用GaN技術的工程師打造更小、更輕且更具效率的電力系統。

最近,TI也宣布其GaN技術與C2000即時微控制器(MCUs)將結合台達電(Delta Electronics)的高效率電力電子專業,實現一個全新的企業級伺服器電源供應器(PSU);相較於採用傳統架構的企業端伺服器電源,專為資料中心應用設計的新方案功率密度提升80%,效率提升了1%。

活動簡介

目前寬能隙(WBG)半導體的發展仍相當火熱,是由於經過近幾年市場證明,寬能隙半導體能確實提升各應用系統的能源轉換效率,尤其是應用系統走向高壓此一趨勢,更是需要寬能隙元件才能進一步提升能效,對實現節能環保,有相當大的助益。因此,各家業者也紛紛精進自身技術,並加大投資力道,提升寬能隙元件的產能,以因應市場所需。

本研討會將邀請寬能隙半導體元件關鍵供應商與供應鏈上下游廠商,一同探討寬能隙半導體最新技術與應用市場進展,以及業者佈局市場的策略。

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