源極底置功率系列新添PQFN封裝裝置

作者 : Infineon

英飛凌推出採用源極底置PQFN封裝OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET。

當代的電源系統設計需求高功率密度等級和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系統級效能,英飛凌科技(Infineon)透過專注於元件級的強化達到系統創新,來應對此一挑戰。繼2月推出25V裝置後,英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET,採用源極底置(Source-Down,SD) PQFN封裝,尺寸為3.3 × 3.3mm2。這款40V SD MOSFET適用於伺服器的SMPS、電信和OR-ing,還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。

SD封裝的內部採用上下倒置的晶片。如此一來,讓源極電位(而非汲極電位)能透過導熱片連接至PCB。與現有技術相比,此版本最終可使RDS(on)降低25%,相較於傳統的PQFN封裝,接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS可承受高達194A的高連續電流。此外,經過最佳化的配置可能性和更有效的PCB利用,可實現更高的設計靈活性和最高效能。

OptiMOS SD 40V低電壓功率MOSFET提供兩種版本:標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。兩個版本皆採用PQFN 3.3 × 3.3mm2封裝。

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