英特爾記憶體市場的愛恨情仇

作者 : Majeed Ahmad,EDN主編

英特爾再次處於記憶體業務的十字路口。根據《華爾街日報》報導,這家半導體產業巨頭正以90億美元的價格,將其NAND Flash部門出售給SK海力士…本文將整理英特爾在記憶體市場的發展歷程…

英特爾(Intel)再次處於記憶體業務的十字路口。根據《華爾街日報》(The Wall Street Journal)報導,這家半導體產業巨頭正以90億美元的價格,將其NAND Flash部門出售給SK海力士(SK Hynix),除了NAND Flash晶片之外,這樁交易案還涉及英特爾的固態硬碟(SSD)業務和晶圓作業,包括英特爾在中國大連的製造工廠。

交易案包括英特爾在中國大連的製造工廠。

英特爾與記憶體技術之間的愛恨交織傳說已成故事。1968年,兩位Fairchild「校友」Robert Noyce與Gordon Moore創立了英特爾,致力於矽閘MOS記憶體晶片和多晶片記憶體模組。在幾乎每家半導體公司都專注於邏輯元件的當時,英特爾看到了記憶體儲存在前電晶體(pre-transistor)時代的困境。

然後是1969年DRAM的誕生。10多年過去,經過來自日本供應商DRAM晶片的猛烈攻擊之後,英特爾營運長(COO) Andy Grove詢問執行長(CEO) Gordon Moore:「如果我們被踢出去,董事會聘請了一位新執行長,你認為他會怎麼做?」Moore回答,新CEO會讓我們走出「記憶」(memories)。

Michael Malone在他的 《The Intel Trinity》一書中寫到,在1985年的那天,兩人決定將英特爾從DRAM業務中撤出。當英特爾處於技術產業最大成功案例的風口浪尖時,就發生了這段歷史性的對話:IBM PC中的微處理器插槽。

儘管如此,英特爾還是率先開發了另一項突破性的儲存技術:NOR Flash。該公司在1988年推出了第一款NOR Flash晶片,隨後開始取代EPROM產品。然而,儘管英特爾開始在常用於保存軟體程式碼或引導(bootstrap)記憶體的NOR Flash方面取得長足進步,但可將資料儲存在iPod等消費類裝置中的NAND Flash卻開始急速成長。

2005年1月,IC Insights預測NAND Flash市場將超過NOR Flash,因為前者在MP3播放器、USB驅動器和其他儲存裝置中的使用越來越廣泛。英特爾看到「不祥之兆」,因此與美光(Micron)建立了NAND Flash合作夥伴關係。

為什麼選擇美光?雖然美光想擺脫對DRAM業務的依賴,但這個想法並不適合英特爾建造或購買新工廠來製造NAND晶片;另一方面,美光可以在其儲存晶片製造工廠中製造晶圓外殼(fab shells)。IM Flash是英特爾與美光宣佈建立合作伙伴關係後成立的合資公司,該公司以研發超高密度NAND Flash晶片,成為記憶體產業努力不懈的一份子。

英特爾與美光合作超越了許多記憶體容量閾值。這包括3D NAND技術,該技術將Flash單元垂直堆疊為32層,從而以標準封裝實現256Gb多層單元(MLC)和384Gb三層單元(TLC)晶片。2019年1月,美光以15億美元收購了英特爾擁有的IM Flash股權,這從某種意義上來說,是即將發生的事情的預兆。

英特爾記憶體發展史的最後是,該公司現在正在脫離其非核心業務,決定退出以破壞性定價和激進策略聞名的Flash市場。但是,英特爾並未完全了結其記憶體技術。

(圖片來源:Intel)

英特爾計劃保留與美光合作開發的Optane記憶體技術(Optane memory technology)。3D XPoint技術——英特爾以Optane品牌銷售的產品——保證比NAND Flash傳輸資料更快。

然而,對於整個記憶體市場,三星(Samsung)和SK海力士現在可以玩韓風DRAM和Flash遊戲。

(參考原文:SK Hynix NAND flash deal and a brief history of Intel’s memory business,by Majeed Ahmad,EDN Taiwan Anthea Chuang編譯)

 

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