使用功率MOSFET製作線性放大器
作者 : John Dunn，EDN專欄作者
如果功率MOSFET開始振盪，會不會產生熱量並將熱量滯留在多晶矽通道內？
多年前，Rudy Severns曾參加國際整流器(International Rectifier，IR)的巡迴演講，討論了該公司的「Hexfets」功率MOSFET。在當時，這條產品線還算相當新，搜尋筆者的記憶，大約是在1981年左右。那時，Severns擔任IR外部顧問及發言人。
Severns介紹了Hexfets如何為開關模式電源(SMPS)做出出色的貢獻。但他非常明確地建議，對於製造線性放大器或將其用於任何其他非飽和服務，Hexfets可能是一個麻煩的選擇。因為會發生以下兩個問題：
- Hexfet在元件封裝的閘極引腳與閘極本身之間具有串聯的電阻路徑，該電阻路徑位於半導體內部，由埋入式多晶矽通道組成。
- Hexfet本身是非常高速的元件，如果將它們放在線性工作區域，可能會相當容易突發為寄生RF振盪。
他擔心的是，如果功率MOSFET開始振盪，該元件的多晶矽通道內部就會產生熱，並且幾乎沒有散發熱量的位置。通道可能會變得很熱，足以穿透閘極的氧化層，從而損壞MOSFET。
過了一段時間後，摩托羅拉(Motorola)推出了他們的TMOS功率MOSFET元件，因此我聯繫了他們並進行了簡短的交談。和我交談的人證實了Severns所說的一切，並且還告訴我，摩托羅拉當時正試圖找到一種方法來繞過TMOS多晶矽通道進行金屬化處理，以免產生熱量滯留的問題。但問題在於，他們無法找到一種方法來做到這一點，並且避免易受靜電放電(ESD)損壞TMOS閘極。
幾年後，我碰巧拜訪了一家製造AC電源供應產品的公司，令我驚訝的是，這家公司使用了Hitachi的功率MOSFET作為推挽(push-pull) B類服務中的線性功率放大器。
儘管Severns擔心，那時我看到它確實可以完成，但是如果你決定自己嘗試，請務必小心以防寄生振盪。
(參考原文：Using power MOSFETs to make a linear amplifier，by John Dunn，EDN Taiwan Anthea Chuang編譯)
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