替代偏壓控制

作者 : John Dunn,EDN專欄作者

可使用主動偏壓控制將電晶體的發射極真正接地。但是,還有另一種方法可以使發射極直接接地,這使用的電路比較簡單,但是電路中確實存在增益問題,這可能會對你的設計造成影響…

這裡討論了使用主動偏壓控制將電晶體的發射極真正接地。但是,還有另一種方法可以使發射極直接接地,這使用的電路比較簡單,但是電路中確實存在增益問題,這可能會對你的設計造成影響。

與主動偏壓控制並排顯示的備用偏壓控制看起來像下圖右方的草圖。請注意,所示的偏壓方程式已簡化,但可用。

圖1 偏壓控制比較。

這兩個電路的小訊號特性比較如圖2所示:

圖2 小訊號響應比較。

這兩種配置在其預期通帶中從大約100kHz起具有相似的增益和頻率響應,但如圖2所示,另一種偏壓配置在低於陷波頻率(notch frequency)的頻率處具有低頻重入特性。

低頻重入是由於重新安置的R2引起,它帶來了意外的訊號路徑。較早電路中的Q2集極會阻塞該訊號路徑。

如果增加旁路電容C3的值,則可以在某種程度上抑制新電路中的低頻重入,但是在實際中可以提供多大的C3電容值存在限制。

如果你不關心低頻重入特性,則替代偏壓電路可能會充分滿足你的需求。不過,如果確實在意的話,那麼我認為原始的偏壓控制電路將是你更好的選擇。

(參考原文:Alternative bias control,by Bruce Trump,EDN Taiwan Anthea Chuang編譯)

 

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