中芯國際今年出產7nm?

作者: 趙娟,EDN China

就部分網傳中芯國際今年出產7nm的報導,《電子工程專輯》中國版致電專業人士,得知這是一個誤解……

中芯國際聯席CEO梁孟松在中芯國際2月份的財報會議上首次公開了N+1、N+2代製程的情況。因此,有外媒報導,稱中芯國際或在今年生產7nm的晶片,中國晶片製造技術要追上來了。

對此,《電子工程專輯》中國版致電專業人士,得知這是一個誤解,我們還進一步瞭解了N+1製程節點,該專業人士解釋:

【至於N+1,NTO(New Tape-out)是去年第四季。目前正處於客戶產品驗證階段,預計第四季度會產生有限產量。

關於N+1,如果比較14nm和N+1,N+1性能提高了20%,功耗降低了57%,邏輯面積降低了63%,SOC面積降低了55%。因此與市場上的7nm相比,實際上在功率和穩定性方面非常相似,唯一的區別是性能,N+1的性能提高了約20%,但就市場基準而言,大概是35%。這是唯一的差距。

因此,就功率和穩定性而言,可將其稱為7nm,而在性能方面確實要比7nm差。N+1的目標是低成本的應用,可以將成本相對7nm減少10%左右。因此,這是一個非常特殊的應用。】

根據以上說明,「N+1」是中芯國際的官方代號,中芯國際並沒有說它是7nm節點。部分網傳可以是曲解了梁孟松在最近的財政年度報告會議的內容。

也有專業人士分析,從參數上來看,這個N+1實際上就是台積電和三星的10nm節點,因為它只提升了20%的性能,遠低於台積電計畫的30%和實際的35%——業界現在以35%為市場基準。這麼低的性能提升顯然不能被稱為7nm,它更像三星的第二代10nm和第三代10nm(就是8nm)。

綜上,今年第四季度量產的應該是14nm的最佳化版本12nm,在進入7nm之前,隨著14nm華為的訂單的導入,期待中芯國際能拿到更多的14/12nm訂單,以便為7nm的研發積蓄力量。

EUV沒搞定,7nm怎麼辦?

據《電子工程專輯》中國版瞭解,針對中芯國際的製程,EUV對於目前N+1階段是不必要的,當然如果未來能從ASML得到EUV,可能對N+2有用。

N+2與7nm的穩定性接近,但性能還是差一些。

前段時間中芯國際四季度財報中,粱孟松也明確說中芯國際可以不用EUV的光刻機實現7nm製程(當然後面5nm/ 3nm還是要用)。

從TSMC的歷史經驗來看,第一代7nm(低功耗的N7)沒用EUV,後面一些衍生版本才用到——而且用的不多,據稱大幾十層光罩中,只有屈指可數的幾層用了EUV。

當然,中芯國際如果今年能拿到ASML的光刻機的話,下一代節點的演進肯定會加速。

本文原刊登於EDN China

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