高功率矽開關縮減RF前端尺寸和功耗

作者 : ADI

亞德諾半導體(Analog Devices;ADI)宣佈推出一款高功率(44W峰值)單刀雙擲(SPDT)矽開關ADRF5130,可讓設計人員縮減蜂巢式無線電系統的硬體尺寸和偏壓功耗。新一代通信基礎設施的資料容量越來越高,蜂巢式無線電前端必須縮小尺寸並提供更快的速度以滿足更高資料使用量的需求。

亞德諾半導體(Analog Devices;ADI)宣佈推出一款高功率(44W峰值)單刀雙擲(SPDT)矽開關ADRF5130,可讓設計人員縮減蜂巢式無線電系統的硬體尺寸和偏壓功耗。新一代通信基礎設施的資料容量越來越高,蜂巢式無線電前端必須縮小尺寸並提供更快的速度以滿足更高資料使用量的需求。

ADI ADRF5130開關藉由高整合度來滿足這些需求,無需外部元件。另外,該開關採用低壓單電源供電,功耗更低,效率更高,電流消耗顯著低於現有PIN二極解決方案。ADRF5130利用矽技術製造,採用小型4 mm × 4 mm LFCSP SMT封裝。

ADRF5130的額定工作頻段為0.7GHz至3.5GHz,插入損耗典型為0.6dB、具有50dB的高隔離度和+68dBm的出色線性度,連續工作模式下,可處理44W的峰值功率。該元件的所有接腳都具有強固的2000V靜電放電(ESD)保護。它還整合一個快速CMOS相容控制介面,切換時間不到1us。此外,在高功率應用中,其對稱式電路架構允許射頻輸入互換使用。

活動簡介

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