「靜電(static)」有多個定義。有靜電荷(static charge)引起的靜電放電(ESD)問題,特別是關於MOSFET和IGBT,且就文字上的靜電影響來說,ESD問題似乎並不重要。(是的,我知道無線電靜電(radio static),但這是不同主題的一部分。)

不久前我看到了第二個靜電的定義,當時我看到少量的MOSFET由那些堅持認為因為這些MOSFET是高功率元件,因此不會造成危害的人,被不經意地傾倒在塑料儲物櫃中。

沒錯!就在此時此刻的二十一世紀,隨著所有的文章都書寫了關於ESD的問題後,我起身對抗一個ESD否認者(denier)。如果你是我所指的其中一人,請閱讀以下文章並好好記筆記!

20170904TA01P1 圖1 ESD問題。

為了言語上的方便,我會提到「FETs」,但請記住,我們正在討論IGBT。在所有情況下,即使所考慮的元件被評定為非常高電壓、非常高電流和非常高瓦數,元件的閘極是非常「纖弱」的,不能被濫用。

必須使用適當的防靜電工具和設備進行適當的防靜電處理。我經寫了很多關於這個題材的內容,所以不會在這裡重複一遍,但是一個特別處理不當的問題,我似乎沒有寫過,現在就讓我們來審視一番。

20170904TA01P2 圖2 導線變動。

試圖改變封裝導線的形狀,是「誠摯邀請」對其本身ESD損壞的舉動。它會對包裝導線造成金屬損壞,之後可能會破裂。

20170904TA01P3 圖3 錯誤的方式(左)和正確的方式(右)。

圖3左側的圖顯示封裝導線已經彎曲,以遷就其與電路板的連接。再者,在稍微隆起的FET封裝之下,封裝與其相關聯的散熱片之間存在薄而非常有害的分離。

圖3右方的圖顯示了我如何建議將事情完成。封裝引線未彎曲,並且有一個鋁塊(藍色),用於堅硬和牢固地鑲嵌在封裝上,以避免在兩個金屬表面之間產生分隔間隙。

要更好的了解間距閉合的問題,可參閱《Wasted Heat Sinking Area》。

(參考原文: Static has more than one definition,by John Dunn,是電子顧問,畢業於布魯克林理工學院(BSEE)和紐約大學(MSEE)。)