該元件提供高達+50.3dBm OIP3(輸出三階截取)的線性度、非常高的+22.7dBm OP1dB(輸出1dB壓縮點)和3.2dB雜訊指數(於150MHz)。除在高頻條件下的卓越訊號噪訊比之外,甚至在較低頻率下也能保持動態範圍性能,相較於基於GaAs或pHEMT FET的放大器,LTC6432-15 先進的SiGe雙極型設計大幅降低 1/f 雜訊頻率拐角,因此雜訊指數在100kHz頻率下僅上升至6.6dB,而其他同類放大器的雜訊指數則升高至20dB以上。

LTC6432-15可有效地為許多處理低頻訊號的應用擴展有效頻寬和動態範圍性能。且相較於GaAs和pHEMT FET放大器,LTC6432-15並可於整個溫度範圍、電源範圍和元件間實現高度穩定性。

LTC6432-15的高動態範圍和至低頻的擴展頻寬拓展了實用性,同時也提升其於眾多放大器應用中的性能,包括高採樣速率A/D轉換器驅動器、電纜網路放大器、寬頻訊號源處理、雷達接收機IF放大器、軟體定義無線電、VHF/UHF廣播無線電設備和 RF 測試儀器。

LTC6432-15差動輸入和輸出在內部進行100Ω端接。其輸入在100k~1.4GHz頻段內匹配,並在整個頻寬範圍內具有優於10dB的回程損耗。另外,輸出也在100k~1GHz頻段內匹配。該放大器僅需DC隔離電容(佈設在其輸入和輸出端)、兩個用於提供正確偏置的扼流圈、和每個輸出一個回饋電容以將其卓越的增益平坦性擴展至低頻。