電子元件和光學元件最終注定要合併,但在今年的光纖通訊展(OFC 2017)上卻引發業界對於矽光子(SiP)或磷化銦(InP)誰才是最發展路徑的論戰。

協助為歐洲發展光子代工生態系統的學術研究人員率先以InP作為專題演講。但幾位分析師表示,SiP更可能成為最後的贏家。

相關各界均同意,越來越多的頻寬需求將在未來五年內推動新的光電介面發展。其需求大約達到今年OFC展會上廣泛展示的400G系統之後約兩個世代,並預計將在2019年出量。

而在2020年左右出現的25.6-Tbits/s開關晶片將會需要光學介面,這是幾位作者在去年出書討論矽光子時所作的預測。網路資深人士Andreas Bechtolshiem則預測2021年時將會需要板載光元件,他在最近指出800G乙太網路(Ethernet)或許是最後使用獨立光模組的標準。

InP是一種極其適於整合的優質技術,特別是核心雷射光源,但它需要採用大量矽晶技術,才能將成本降低到相當於SiP的程度,Meint K. Smit在OFC的專題演講上表示。

20170327_Photonics_NT04P1 Smit表示,InP超越大多數技術領域 (來源:OFC)

荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technology)的InP專家Smit帶領的歐盟計劃至今已開發出350款InP元件了,其中包括來自多家公司的商用化產品,例如180-Gbit/s和320-Gbit/s的波分多工發射器。

該計劃匯集了代工廠、工具製造商和光子設計師。至今已經打造出經驗證的光學元件庫和InP製程設計套件,從而在多專案晶圓(MPW)上實現測試元件,並推動從4吋晶圓向6吋晶圓的進展。

然而,Smit坦承,SiP的成本較低,因為它擁有英特爾(Intel)等業者支持使用較大的8吋晶圓廠。他說:「目前正處於一種複雜的景象,並沒有一種適用於全部的解決方案... [最後],InP、矽元件和SiP都可能共同運作。」

20170327_Photonics_NT04P2 在歐洲生產的一些InP設計

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