這裡所謂的「反相」指的是集流器用作發射器(emitter);發射器可用作急流器。先前在發表於1964年的通用電氣(General Electric)應用筆記中讀過這個部分,這個想法能夠運作是因為這兩種電晶體的類型是磊晶(epitaxial)平面構造,並且因此可以在其反相模式導通狀態中傳送極低的飽和電壓,其中「低」意指微伏特(microvolt)等級。

此種屬性被用於在連續近似類比/數位(A/D)轉換器設計中的良好使用,這是美國海軍CVA Versatile Avionics Shop Test(VAST)系統稱為Building Block Ten(BB10)數位萬用電錶(DMM)的一部分。2N2222和2N2907反相模式開關陣列饋送和切換該A/D轉換器的電阻梯形網路。

然而,當在反相模式中使用電晶體時,會遭遇到一些限制。作為發射器的集流器到基極電壓不能超過該pn合流點(pn-junction)的基極-發射器反向擊穿電壓。此外,發射器到集流器電流需要保持較小,也就是保持小於1毫安培(mA)。

在遇到DMM之前,我曾經設計一個非常簡單、使用反向模式2N2222開關的開關衰減器(attenuator),如下圖。

20170217TA01P1

每個控制訊號對於其NPN處於零的截止狀態;對於其NPN處於+5V的飽和狀態。10K輸入電阻將最大發射器到集流器的電流限制為0.5mA。

只是提醒,我使用這個電路作為VAST BB21訊號發生器的「AM Leveler」模組的一部分,其RF輸出為10k~40MHz,AM調變百分比為20%、40%、60%和80%。因此四個開關有4個調變級別。