Gigaphoton指出,該公司正在開發一種碎屑清除技術,使用了20μm以下的微型液滴的供給技術、採用固體雷射驅動的改良型前導脈衝,與採用新引進的高頻放電激發式三軸正交型二氧化碳雷射放大器(三菱電機株式會社生產)驅動的高光品位主脈衝束的組合、改進型能量控制技術以及Gigaphoton自主開發的磁場技術,7月份在原型機上達到了130W以上的連續運轉。

此次發佈的測試光源是將這一系列新技術運用到以組裝到EUV曝光機中為前提設計的系統中開發出的高階產品,能率比(運轉時間與發光時間的比例)達到95%,遠遠高於原型光源,功率達到105W,運轉穩定,發光效率成功達到了5%。

這是決定半導體產能的平均功率,相當於100W,其性能可以說超過了使用者現階段的要求,其運轉驗證的成功向著實現最先進半導體生產線的目標邁出了一大步。