科林研發(Lam Research)發表可沉積低氟含量鎢薄膜的原子層沉積(ALD)製程,為其領先業界的ALTUS系列產品再添新成員。透過這款業界首創的低氟鎢(LFW)ALD製程,ALTUS Max E 系列可協助記憶體晶片製造商克服其面臨的重大挑戰,並實現3D NAND和DRAM元件的持續微縮。此新系統是以科林研發領先市場的記憶體應用產品組合為基礎,正受到全球市場的廣泛關注,並已贏得多家世界級3D NAND和DRAM製造商以及研發中心的採用。

由於3D NAND製造商增加了儲存單元(cell)的層數,因此,對鎢沉積製程而言,其字元線連結(word line)的填充應用便面臨了兩個重要的問題。首先,從鎢薄膜擴散出來的氟會進入介電層,而導致物理性缺陷。其次,元件中超過48對介電層的累積應力會造成嚴重的彎曲。這些缺陷與應力的問題會使良率降低,並影響電氣效能與元件可靠度。因為這些問題,先進3D NAND元件用的鎢薄膜必須盡量降低氟含量以及內在應力。此外,隨著關鍵尺寸的微縮,DRAM埋入式閘極字元線連結(buried word line)的電阻降低也變得更為困難,邏輯元件中的金屬閘/金屬接點(contact)的應用也是如此。

具備LFW ALD 技術的ALTUS Max E系列產品可提供獨特的全套ALD沉積製程,其中運用了科林研發的脈衝晶核層形成(PNL)技術,這是鎢ALD製程的業界標竿,具有15年的市場領先地位並有超過1000台模組被廣泛使用在量產。科林研發以其PNL技術,引領了業界從氣相沉積(CVD)鎢晶核升級到ALD鎢晶核製程。藉由推動低電阻鎢解決方案,發展了PNLxT的ALTUS Max、與LRWxT的ALTUS Max產品系列,以及填充效能特強的ALTUS Max ExtremeFill產品,科林研發得以持續維持其市場領先地位。

ALTUS產品採用科林研發的四站式模組(QSM)架構,由於各站的溫度均可獨立設定,因此在不犧牲填充能力狀態之下,能讓每一站的鎢晶核與填充都達成氟含量、應力和電阻的最佳化組合。透過為每台設備提供12個臺座(pedestal),QSM配置能實現ALD製程的生產力最大化,提供業界最高的單位面積生產力解決方案。