Diodes提供ZXGD3111N7 動態OR’ing MOSFET控制器,針對使用冗餘電源系統來實現高可靠性的電訊、資料中心和伺服器應用,提升最大漏極電壓至200V。與先前發佈的40V額定值的 ZXGD3108N8控制器相比,新元件在漏極電壓(VDRAIN)上的提升,可實現以OR方式連結兩個或更多電源的48V共軌系統,從而提供冗餘功能以滿足其需要。

除了達到其他競爭產品兩倍的200V額定電壓之外,ZXGD3111N7還具有低關閉臨限電壓,緊密容差為-5m~-1mV,從而在使用低RDS(ON)MOSFET元件時提升輕負載條件下的穩定性,使得這款控制器成為同級領先的解決方案,能在整個負載範圍內提供最高效率和可靠性。

ZXGD3111N7設計與FET元件共用,成為了理想的二極體,能夠取代一般用於共軌系統之阻斷二極體。其5A散熱電流能力能夠在並聯OR’ing MOSFET中的閘極快速放電,而其少於600ns的迅速關斷時間規範,可防止逆向電流以及共軌系統上的電壓降。這款元件具有業界領先的低於50mW的待機功耗,靜態電流在1mA以下。