ROHM針對伺服器和高階電腦等的電源PFC電路,研發出最適合的第3代碳化矽(Silicon Carbide,SiC)蕭特基二極體(以下稱為SiC-SBD) 「SCS3系列」。

本產品採用全新的構造,保持前代SiC-SBD業界最小順向電壓 (VF=1.35V、25℃),同時又可以確保高突波電流耐受量。如此一來,就能夠運用在伺服器和高階電腦等的電源PFC電路上,進而提升應用裝置的效率。

此外,本產品自2016年3月開始提供樣品,預定4月開始依序量產。前製程的生產據點為ROHM阿波羅株式會社(福岡縣)、後製程則是在ROHM Korea Corporation(韓國)。ROHM半導體今後將繼續努力擴大SiC元件的陣容,進而幫助功率電子裝置節能。

近幾年太陽能發電系統和產業用各種電源裝置、電動汽車、家電等功率電子領域,為了能藉由提升功率轉換效率,進而節能,市場需求效率更高、更好的功率元件。SiC元件的材料物性比傳統的Si元件還要好,已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置,電源上使用SiC-SBD產品,就能充分發揮該產品的高速回復特性,運用在PFC電路後,可望進一步提升裝置的效率。

而在上述用途之中,最重要的莫過於突波電流的耐受量了。ROHM半導體的SiC-SBD產品雖然第1代、第2代皆獲得客戶好評,但為了進一步擴大應用範圍,採用了新的元件構造,成功研發出保有業界最低VF值的特性,同時又具高突波電流耐受量的產品。