德州儀器(TI)宣佈推出600V氮化鎵(GaN)70mU場效應電晶體(FET)功率級工程樣本,與基於矽材料FET的解決方案相比,這款全新的12-A LMG3410功率級與TI的類比和數位電力轉換控制器組合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計,適於隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源等應用中特別重要。

LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能,特別是在硬開關(hard-switching)應用中更是如此,並能夠大幅地降低高達80%的開關損耗。與獨立的GaN FET不同,容易上手的LMG3410針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。

LMG3410是首款整合由TI生產的GaN FET的半導體積體電路(IC)。基於多年在製造和製程技術領域上的專業,TI在其矽技術相容的工廠內創造出GaN裝置,並且透過層層測試,使這些裝置的品質超過了典型電子裝置工業委員會(JEDEC)標準的要求,以確保GaN在要求嚴格使用情況下的可靠性和穩健耐用性。易於使用的封裝將有助於增加功率因數控制器(PFC) AC/DC轉換器、高壓DC匯流排轉換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設計的部署和採用。

LMG3410的主要特點和優勢 ?使功率密度加倍。與基於矽材料的最先進升壓功率因數轉換器相比,600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗要低50%。減少的物料清單(BOM)數量和更高的效率最多可以將電源尺寸減少50%。 ?減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比,裝置全新的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。 ?可實現全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益於全新開關拓撲,其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲,以增加功率密度和效率。

為了讓設計人員在其電源設計中利用GaN技術所具有的優勢,TI推出全新的產品,以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10,一個48V至1V負載點(POL)的評估模組,將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和資料通信應用中實現高達92%的效率。

TI將提供包含有一個半橋子板和4個LMG3410 IC樣本的開發套件。而第二個套件則將包含一個系統級評估主機板。將兩個套件同步使用時,即可實現直接工作台測試和設計。