http://www.edntaiwan.comEDN Taiwan - 記憶體en-usCopyright 2008 Reed Business Information, a division of Reed Elsevier Inc. All rights reserved.Thu, 16 Oct 2008 04:10:30 +0800http://www.edntaiwan.com/rss_bridge.asp?AdID=12&URL=http://www.edntaiwan.com/WebcastRegister.asp?webcastId=14Want to know more about “Smart” TDDB Algorithms implemented using the Keithley 2600 Series SourceMeter? 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Express晶片組的驗證，使奇夢達的記憶體產品能在新一代高階桌上型電腦平台發揮其卓越的散熱效率和性能。 DDR3 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11224&title=往盚FDDR3模組通過即將推出的陌S爾高階桌上型電腦平台的驗證-Asia.htmlFri, 26 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11189&title=愛特梅爾針對低弁茬計推出全球首款18V電壓的8MbSerialFlash-Asia.html愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 宣佈業界首款能夠在1.8V電壓下運作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081，經已準備投產。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作電壓範圍，與許多現有和即將面市的採用亞90nm製程的ASIC和處理器/控制器相同的工作電壓，允許系統設計人員最終創建出使用單一電源電壓為系統中所有元件供電的應用，並可顯著降低成本。不同於那些經篩選在較低電壓下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081專門針對1.8V電壓而設計，能夠讓器件保持與3V電壓同級產品一樣的性能水準。 愛特梅爾根據客戶的直接及特定需求開發出AT25DF081產品；這些客戶是在電池供電的可攜式消費產品如個人媒體播放機 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11189&title=愛特梅爾針對低弁茬計推出全球首款18V電壓的8MbSerialFlash-Asia.htmlMon, 22 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11182&title=Ramtron推出高速和必v靈活的1百萬位元串列FRAM記憶體-Asia.htmlRamtron International Corporation宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款器件FM25V10，是1百萬位元 (Mb)、2.0至3.6V、具有串列外設介面 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11182&title=Ramtron推出高速和必v靈活的1百萬位元串列FRAM記憶體-Asia.htmlMon, 22 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11181&title=工研訌RAM研發成果獲國際電子元件研討弒EDM專楫眯w-Asia.html工研院研發的電阻式非揮發性記憶體( Resistive Random Access Memory, RRAM)以優異研發成果，獲選在世界半導體領域最頂尖的2008國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)，向全球最卓越的電機電子研發菁英發布最新技術進展。 RRAM具有下世代非揮發性記憶體的潛力而備受業界關注，預計在未來有機會取代快閃記憶體（Flash）及DRAM。工研院電光所為協助業界取得競爭優勢，自2006年開始進行RRAM研發，此次發表的RRAM研發進展令人驚豔，並有優異的特性，包括：操作功率遠低於目前已發表的RRAM，最低可達23奈安培的電流及1.5V的低電壓特性；操作時間也極為快速，可達10奈秒以下，媲美DRAM操作速度；具有5個電阻態，可進行多階操作；讀寫次數可達106次；以及在200℃的溫度下，資料可儲存10年以上之優異特點。此外，還具有運用與業界高相容性的高介電常數材料(high-K)及金屬及製程結構簡單之特點，突破現今運用鉑等貴金屬材料及複雜製程的RRAM，能快速實現RRAM移轉業界進行量產之可能性。 國際電子元件會議(IEDM) ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11181&title=工研訌RAM研發成果獲國際電子元件研討弒EDM專楫眯w-Asia.htmlMon, 22 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11127&title=其陽科技選擇Ramtron的4百萬位元FRAM記憶體，用於先進以工感C為基礎的遊戲機解決方案-Asia.html全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation宣布台灣領先的應用工業計算平臺製造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎的 GA-2000 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11127&title=其陽科技選擇Ramtron的4百萬位元FRAM記憶體，用於先進以工感C為基礎的遊戲機解決方案-Asia.htmlFri, 12 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11102&title=陌S爾推出筆記型電腦與桌上型電腦用固態硬碟機-Asia.html英特爾公司宣布，Intel® X18-M與X-25M主流型SATA固態硬碟機(Solid-State Drives, SSDs)已開始出貨。這兩款固態硬碟機針對筆記型電腦與桌上型電腦設計，以多層單元(multi-level cell, MLC) NAND快取記憶體技術為基礎。這些新型高效能資料儲存裝置重量輕、堅固耐用、耗電量低，可代替傳統硬碟機(hard ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11102&title=陌S爾推出筆記型電腦與桌上型電腦用固態硬碟機-Asia.htmlWed, 10 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11072&title=Spansionreg公佈楓伈怳pNAND裸片尺寸的高性能NAND快偽O憶體生產計畫-Asia.htmlSpansion 公佈了即將推出的MirrorBit® ORNAND2TM產品系列生產計畫，該系列產品的寫入速度可提高25%，讀取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮動閘門NAND快閃記憶體明顯減小。Spansion計畫透過MirrorBit ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=11072&title=Spansionreg公佈楓伈怳pNAND裸片尺寸的高性能NAND快偽O憶體生產計畫-Asia.htmlFri, 5 Sep 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=10942&title=往盚F為PLAYSTATIONreg3電腦娛樂系統量產RambusXDR8482DRAM-Asia.html全球記憶體領導供應商奇夢達公司與專精高速記憶體架構的全球技術授權領導廠商Rambus Inc. ，宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION®3(PS3™)電腦娛樂系統量產出貨XDR DRAM。 奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已於2008年1月開始出貨。XDR記憶體解決方案拓展了奇夢達的利基型記憶體產品佈局，能滿足全球快速成長的電腦和消費電子產品市場對高效能及高頻寬的應用需求。 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=10942&title=往盚F為PLAYSTATIONreg3電腦娛樂系統量產RambusXDR8482DRAM-Asia.htmlWed, 27 Aug 2008 00:00:00 +0800http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=10925&title=Spansion與中芯國際的合夾鬎雪s添43nm製然irrorBitORNAND2技術-Asia.html全球最大的純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣布擴大與中芯國際目前的合作協議，在生產65nmMirrorBit NOR產品的基礎上，增加以300mm晶圓為基礎的43nm Spansion® MirrorBit® ORNAND2快閃記憶體。藉由中芯國際世界级的專業製造技術，Spansion將為其嵌入式和無線快閃記憶體客戶提供更具成本優勢的差異化產品線。此項合作的具體條款尚未透露。 ....http://www.rbia-subn.com/gotoArticle/goArticle.asp?mag=EDNT&newscatid=10&id=10925&title=Spansion與中芯國際的合夾鬎雪s添43nm製然irrorBitORNAND2技術-Asia.htmlMon, 25 Aug 2008 00:00:00 +0800