許多開關型電源用“按鍵上電（kick-start）”電路來對離線作業進行初始化（initialize）。這些電路簡單地由電阻（如 International Rectifier公司的IRIS4015），或複雜地由雙極電晶體或MOSFET實現（參考文獻1）。這些電晶體為返馳變換器或功率因數校正（power-factor-correction，PFC）IC提供初始電流。當這些電源用正常模式開始工作時，專用線圈的電壓持續為PFC晶片供電，從而減少了激勵上電電路的功耗。
這類方案能夠減少激勵上電電路的功耗，但不能徹底消除。因為主動器件通常是高壓雙極電晶體或高壓增強型MOSFET。這些電晶體的基極或閘極需要有關於可用在正常作業的射極或源極之正向偏壓（forward-biasing）。因此，電源損耗一般發生在使電晶體保持斷開狀態的電路中。不幸的是，工程師對空乏式MOSFET的關注太少，其正常工作中不需要正向偏壓，且閘極電壓需低於源極。空乏式MOSFET的這些優勢使其適於電源在激勵上電電路中無損耗（no-loss）的角色。
圖1顯示的是一種常用的PFC電路，它的IC最初透過空乏式MOSFET Q2（Supertex 公司的DN2470）來接收輸出端電源（參考文獻2）。根據IC模型，Q2的源極為PFC的IC1提供約10到15mA或更少的初始電流。大約4到6W的短暫的（brief）能量消耗，不會對焊接到灌銅區（copper pour）的MOSFET造成傷害。如果擔心MOSFET的安全，可以採用Ixys公司的IXTY02N50D（參考文獻3）。電阻R3和R4可設定Q2的工作點（working point），以獲得所需的最小電流。對一個18V的輸入電壓而言，齊納二極體D5限制IC1電壓到約15V，這通常對大多數PFC IC是必要的，且小於MOSFET Q2的最大值。
當IC1開始正常工作，PFC電感L的次級線圈可以產生IC的供應電壓，而此一電壓則是由二極體D1 及 D3 及電容C1 及 C2來調節。電晶體Q2持續對齊納二極體D5及IC1進行饋送，以產生一短暫的間隔。最後，雙極電晶體Q3經由電阻R5、從二極體D2獲得其基極供電，再開啟Q2的閘極及嵌位至地。Q3的電源是大約為15V的正供電電位（positive-supply potential），這已足以切斷Q2了。10 至 20 mA的殘餘熱電流（thermal current）就不會產生實質上的功率損耗（power loss）。
參考文獻
1. “IRIS4015(K) Integrated Switcher,” Data Sheet No. PD60190-C, International Rectifier, www.irf.com/product-info/datasheets/data/iris4015.pdf.
2. “DN2470 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET,” Supertex Inc., www.supertex.com/pdf/datasheets/DN2470.pdf.
3. “High Voltage MOSFET: IXTP 02N50D, IXTU 02N50D, IXTY 02N50D,” Ixys, http://ixdev.ixys.com/DataSheet/98861.pdf.
圖說：
圖1 空乏式、高壓MOSFET 可為PFC IC提供了一個“按鍵上電”電路。 在正常運行時，MOSFET 關閉，只消耗極少的功耗。
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Figure 1
