包括返馳式（flyback）、順向式（forward）及諧振式（resonant）電源在內的多數隔離式、離線開關式電源（switched-mode power supply，SMPS），都必須在90 至260V rms的輸入電壓下工作。有時還要使用400V rms±10%的線間電壓（line-to-line voltage），讓元件的額定電壓提高了，從而增加了整體的設計成本。在這種情況下，最好採用輸入限制電路（input-limiting circuit），可將輸入電壓提高到 440V rms，而不會對電源器件造成傷害。
圖 1 中的電路會將高於260V rms的輸入交流電壓限制或箝位（clamp）到可以讓SMPS中功率金氧半場效電晶體（power MOSFET）安全運作的等級。該電路採用一可當作100-Hz 開關的場效電晶體 Q1 及一個並聯穩壓器 IC1 TL431CZ，並用分壓器 R2 和R4來設置箝位的高電壓級別。電路使用圖示的元件值。 箝位輸出電壓為直流360V ，輸入電壓為260V rms，最大輸入電壓為440V rms。該電路在5到10W的電源等級接受測試。
在輸入電壓小於260V rms的情況下，Point C 小於2.5V，IC1 關閉，汲入（sink）最小關閉狀態陰極電流。齊納二極體D2崩潰（break down）成15V，以確保Q1的穩定狀態。這種運行是Q1在輸入電壓小於有效值260V下的正常狀態。因此，在這些電壓等級，該電路工作起來將像容性負載C3下的標準全橋整流器。
在輸入電壓為260V rms 或更大的輸入電壓時，Point C大於2.5V，IC1打開，將來自D2的電流轉向（divert）及汲入。閘至源電壓（gate-to-source voltage ）Q1降到約2V，Q1關閉。現在，即使D1橋整流二極體處於順向偏置（forward-biased），也沒有電流會流到降壓電容（bulk capacitor ）C3。整流輸入交流電壓大於流經C3電壓，但是Q1關閉，迴路中斷，沒有電流流過。因此，由於沒有合適的放電電流，流經C3的輸出直流電壓便受到限制。
當整流的交流輸入電壓開始減少時，其最終會到達Point C的2.5V閾值水平，Q1再次打開。但由於整流橋二極體反向偏置（reverse-biased），電流就不流動；整流輸入交流電壓小於流經C3的電壓。這個流經C3的電壓依照輸出功率等級所決定的速度減小。最終，流經C3的電壓及整流後的輸入交流電壓在整流橋二極體變為順向偏置時相交（intersect）。Q1仍然打開；因此，充電電流（charging current）開始流動。接下來是一段短暫的間隔，其間Q1 與D1 導通。短暫的充電脈衝會補充能量的損耗，將電壓提高到限制水平。當輸入電壓大於260V rms時，Q1 再次關閉，而整個過程會再重複。
Q1 有較小的功率損耗。在每個開關週期，金氧半場效電晶體只導通450 μsec，使這種高壓限制電路具有較高的效率。你可以把它當作MOSFET開關使用，與STMicroelectronics 的SuperMesh MOSFET STP4NK50Z共用，STP4NK50Z採用TO-220封裝；但也可以使用Dpak來節省空間，因為MOSFET不是一個消耗電壓的限制器（dissipative-voltage limiter）。當50/60Hz整流二極體順向偏置時，流過Q1的電流中斷。電流中斷在漏極到源極電壓（drain-to-source voltage）上引起振鈴。依照EN 55022 Class B，使用峰值和均值檢測，箝位電路通過傳導的（conducted ）電磁干擾（EMI）測試。1-mH、 0.2A阻塞，L1和L2則抑制了EMI。220-nF、 440V交流電容C1是D1橋整流二極體上的一種簡單的緩衝器元件。
圖注：
圖1 圖中簡單的電路會將高於260V rms的輸入交流電壓限制或箝位（clamp）到可以讓SMPS中功率金氧半場效電晶體（power MOSFET）安全運作的等級。
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Figure 1
