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Aviza推出Versalis fxP系統
(技術新聞, 7 月 2 日 2008 年)

為全球半導體產業及其相關市場，提供先進半導體資本設備及製程科技的專業供應商Aviza Technology, Inc日前宣佈推出針對運用TSV技術（Through Silicon Via，直通矽晶穿孔）製造三維IC的8吋/12吋晶圓集成系統—Versalis fxP。Aviza率先為研發部門開發此獨特的整合製程系統，結合了蝕刻、物理氣相沉積和化學氣相沉積等多個步驟，以生產出功能性三維IC封裝，並加快這些產品的上市速度。

Versalis fxP系統是基於Aviza經量產驗證的單晶圓平台，最多能整合六個製程模組。其個別模組，如深層矽蝕刻、物理氣相沉積和化學氣相沉積等，都已在晶圓級封裝、MEMS和功率半導體等應用領域量產驗證過。Versalis fxP平台結合了所有製造電鍍所需導孔的必要製程。此「一站式」解決方案能使用戶在研發上省下更多資本、降低安裝成本，同時提高製造區的使用效率。

Aviza物理氣相沉積/化學氣相沉積/蝕刻業務部門副總裁暨總經理Kevin Crofton指出：「Aviza的專業在蝕刻、物理氣相沉積和化學氣相沉積等方面。我們創新推出的Versalis fxP系統，能為三維IC及TSV技術領域的研發團隊，提供獨一無二的整合製程解決方案。用戶將在這三個製程領域受益於Aviza的專業，達到其下一代三維構裝的製造要求。在單一平台，用戶就能以經濟有效的方式，開發他們的TSV製程，並同時將這些整合製程順利運用在生產線上。」

【TSV方法】
更多功能、更小尺寸及更低成本，是驅動先進消費電子產品設計更新換代的三個主要因素。這三點同時也是促使採用三維IC，以及其所需配套封裝技術的原因。而打線接合及TSV就是三維IC封裝中，建立堆疊晶粒元件之間電氣互連的兩種最常用的技術。

TSV受到好評的一個重要因素是，比起打線只能在元件周圍繞線，TSV的方法在同樣的性能表現下，最多能節省30%的矽用量。近期由於太陽能電池需求大增，原物料矽的成本增加超過十倍，導致TSV和打線接合的成本差距擴大。 此外，接合導線需額外佔用矽片空間，也就意味著同樣的矽片所能生產出的晶粒較少，獲取利潤的空間更小。而TSV因其能縮短電氣傳遞的距離，同時堆疊晶粒的數目還不受限制，成為三維IC製造商日趨採用的技術。因此，TSV使手持式電子裝置尺寸更小，同時在速度和功能上都有所改善。

運用TSV技術的三維IC應用領域很廣，包括NAND快閃記憶體、影像感測器、感測器和DSP、DRAM、SRAM、FPGA和記憶體、處理器、無線區域網路的放大器、行動電話的通訊元件及軍事上的用途等。根據知名市場研究公司Yole Développment的預測，到2012年，三維IC晶圓的年複合成長率（CAGR，compounded annual growth rate）將超過60%。

Yole Développment的市場分析師Jérôme Baron表示：「三維IC領域無疑是個成長的市場，各方動作不斷。TSV製程無論在裝置和性能上，都優越於其他方法。一個TSV的整合製程方法對精簡開發製程非常重要。」

【獨特的整合製程能力】
在研發和試生產階段，理想的系統解決方案是將四個用於TSV製造的重要製程步驟整合成一個單一工具平台：TSV蝕刻、氧化層化學氣相沉積/氧化層蝕刻及金屬層物理氣相沉積。這種方法的獨特優點使TSV發展的時間大為縮短。

Versalis fxP整合了蝕刻、物理氣相沉積和化學氣相沉積三項製程技術，比三個系統各自獨立佔地要小，單一設備的安裝使成本降低、減少對清潔區的干擾，因此從開始進行晶圓生產到完工的時間就能縮短。除此之外，這種系統能讓研發人員在不解除真空的狀態下，把一段段製程連接在一起，看看是否能讓性能更好。然後應用這些發現用於使生產系統配置最佳化—這在傳統已配置好的單一製程系統上是不可能做到的。

要全面提高產能，可以將個別生產模組安裝在額外的處理系統上，每一個系統連接的是不同的製程—這是Versalis fxP系統的特色。這個方法只有在各製程模組的機械介面和控制系統都一樣時才有可能實現。如此能降低製程重複質檢的需要，這是採用整合硬體和製程方法來做TSV法三維封裝的另一個優點。
 
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